FDB6030L


Купить FDB6030L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDB6030L
Версия для печати

Технические характеристики FDB6030L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs13 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C48A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1250pF @ 15V
Power - Max52W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
Product Change NotificationProduct Discontinuation 09/Sept/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDB6030L (Полевые ДМОП транзисторы)

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDB6030L datasheet
477.27Kb
4стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход