FQP27N25

Версия для печати

Технические характеристики FQP27N25

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 12.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	25.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2450pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP27N25 (Мощные полевые МОП транзисторы)

250v N-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQP27N25 datasheet
760.36Kb
8стр.