HUF75631S3ST


HUF75631S3ST (заказ)
HUF75631S3ST

Технические характеристики HUF75631S3ST

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUltraFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 33A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C33A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs79nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1220pF @ 25V
Power - Max120W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru