FQA19N60

Версия для печати

Технические характеристики FQA19N60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 9.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3600pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQA19N60 (MOSFET)

600V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQA19N60 datasheet
545.6 Кб