IRFR1N60APBF


Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 1.4A, 36W, 7.0R)

Купить IRFR1N60APBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFR1N60APBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFR1N60APBF

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 Ohm @ 840mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds229pF @ 25V
Power - Max36W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR1N60APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFR1N60APBF datasheet
111 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход