SI7686DP-T1-GE3
|
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1220pF @ 15V |
| Power - Max | 37.9W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4407A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | 234 |
|
|||||
| AO4407A | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
|
|
|||||
| AO4407A |
|
|
||||||
| AO4407A | AOS |
|
|
|||||
| AO4407A | ALPHA & OMEGA |
|
|
|||||
| AO4407A | A&O |
|
|
|||||
| AO4407A | YOUTAI | 321 | 11.43 | |||||
| AO4407A | HOTTECH |
|
|
|||||
| AO4407A | UMW | 3 680 | 17.71 | |||||
| TPS51620RHAR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS51620RHAR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS51620RHAR |
|
|
