IRFR9210PBF
Транзистор полевой P-канальный (Vds=200V, Id=-1.1A@T=25C, Rds=3.0 R , P=2.5W, -55 to +150C)
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFR9210PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
