IRFL214PBF
Силовой МОП-Транзистор N-канальный, Vси = 250В, Rоткр = 2.0Ом, Id(25°C) = 0.79A
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 470mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 790mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFL214PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
