|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRLR110 (Дискретные сигналы) 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRLR110TR, IRLR110TRL
Производитель:
|
|