IRFR9014

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR9014		52.64

Версия для печати

Технические характеристики IRFR9014

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	270pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFx901x

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRFR9014

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRFR9014 datasheet
305.31Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC1969	Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V)			1 190.84
2SC1969	Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V)	MITSUBISHI
2SC1969	Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V)	MATSUSHITA
2SC1969	Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V)	MIT
2SC1969	Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V)	MITSUBISHI ELEC
2SC1969	Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V)	ISCSEMI
564ЛА7			50	420.00
564ЛА7		ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
564ЛА7		ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
564ЛА7		ВОСХОД
564ЛА7		НЗПП
564ЛА7		КАЛУГА
564ЛА7		НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
564ЛА7		РОДОН
564ЛА7		НОВОСИБИРСК
564ЛА7		МИКРОН	1	455.00
564ЛА7		ФОРМ
564ЛА7		ФОРМ МОСКВА
564ЛА7		ЭКСИТОН
564ЛА7		ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД
MC34118P		ON SEMICONDUCTOR
MC34118P		MOTOROLA
MC34118P				217.08
MC34118P		UTC
КС 512 А	Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт	RUS
КС 515 А	Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...	RUS