IRFR9020

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR9020		60.28

Версия для печати

Технические характеристики IRFR9020

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 5.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	490pF @ 25V
Power - Max	42W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR9020 (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFR9020 datasheet
233.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	SANYO
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)			119.00
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	SAN
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	193.80
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	121.20
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC	1 756	56.97
NCP1203D-60		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D-60		ONS
NCP1203D-60
NCP1203D60R2G			1	187.20
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D60R2G		ONS
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTO
SPP04N60S5	(BUZ91A)600В 0.95Ом	INFINEON
SPP04N60S5	(BUZ91A)600В 0.95Ом			208.80
SPP04N60S5	(BUZ91A)600В 0.95Ом	Infineon Technologies
SPP04N60S5	(BUZ91A)600В 0.95Ом	INFINEON TECH
SPP04N60S5	(BUZ91A)600В 0.95Ом	I
SPP04N60S5	(BUZ91A)600В 0.95Ом	INTERSIEL