IRFI620G
N-канальный 200В 4.1А
Технические характеристики IRFI620G
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V |
Power - Max | 30W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru