IRFI620G


N-канальный 200В 4.1А

IRFI620G (заказ)
IRFI620G

Технические характеристики IRFI620G

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs800 mOhm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds260pF @ 25V
Power - Max30W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack, Isolated
КорпусTO-220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru