FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 18A, 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 30A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Power - Max | 88W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRLZ34 (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
КП727В | 29.52 | |||||||
КП727В | 29.52 | |||||||
КП727В | ИНТЕГРАЛ | 26 | 168.30 |
|