IRFZ30

MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Версия для печати

Технические характеристики IRFZ30

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1600pF @ 25V
Power - Max	75W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFZ30 datasheet

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП727Б				10	55.20

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AOD403		Alpha & Omega Semiconductor Inc
AOD403		ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD403
AOD403		VBSEMI
AOD403		YOUTAI	504	14.96
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FAIR
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	MOTOROLA
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В		41	68.04
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FAIRCHILD	52	90.72
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FCS
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	LIT	7 650	18.20
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	ONSEMICONDUCTOR
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	LITE-ON	6 339	21.78
MOC3083	Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	1
АОУ115Б			416	49.14
АОУ115Б		СТАРТ	2 004	21.00
ИВ-11			14	588.00
ИВ-11		САРАТОВ
ИВ-11		1
ИВ-17			30	138.75