Версия для печати
Технические характеристики IRFBC30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	660pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBC30 N - Channel Powermesh Mosfet Производитель: STMicroelectronics //www.st.com IRFBC30 datasheet 87.84Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		H11L2			FAIR
		H11L2				29	74.00
		H11L2			FAIRCHILD
		H11L2			FAIRCHILD
		H11L2			Fairchild Optoelectronics Group
		H11L2			ISO
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		4	41.58
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMICROELECTRONICS
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	МАРОККО
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTR
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRO
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMICROELECTR
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	67
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	ST MICROELECTRONICS
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	STMicroelectronics
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP5NK80Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R	ST MICROELECTRO
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный			144.00
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	ДАЛЕКС	209	196.53
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДР
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	RUS
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	ЭЛЕКС
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М					33.84
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"