IRFP450A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP450A		179.76
IRFP450A (FAIRCHILD)	266	338.31

Версия для печати

Технические характеристики IRFP450A

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2038pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP450A (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFP450A datasheet
103.39Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	VISHAY
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W		2	101.75
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	Vishay/Siliconix
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	КИТАЙ
L4981BD		ST MICROELECTRONICS
L4981BD				464.00
L4981BD		ST MICROELECTRONICS SEMI	452
L4981BD		STMicroelectronics
L4981BD		ST1
L4981BD		ST MICROELECTRO
NCP1203D60R2G			1	196.56
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D60R2G		ONS	120	132.42
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTO
TL494 DIP-16	Контроллер для AC-DC	UTC
TL494 DIP-16	Контроллер для AC-DC