IRFPE30

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFPE30		160.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFPE30

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFPE30 (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =3.0ohm, Id=4.1a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFPE30 datasheet
168.47Kb
6стр.