Версия для печати
Технические характеристики IRFP350

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2600pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFP350 Полевой транзистор Производитель: Завод andquot;Эльтавandquot; IRFP350 datasheet 99.46Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП784А					128.00
		КП784А			МИНСК

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в			100.80
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	DC COMPONENTS
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	Littelfuse Inc
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	LITTELFUSE
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	KEISUM
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	LTL
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	VISHAY
		1.5KE170A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 170в	1
		B82111EC24		Индуктивность на феррите аксиальная 26мкГн, 70кГц, 1.5А, 300Ом	EPCOS
		B82111EC24		Индуктивность на феррите аксиальная 26мкГн, 70кГц, 1.5А, 300Ом
		B82111EC24		Индуктивность на феррите аксиальная 26мкГн, 70кГц, 1.5А, 300Ом	TDK
		B82111EC24		Индуктивность на феррите аксиальная 26мкГн, 70кГц, 1.5А, 300Ом	TDK-EPC
		B82111EC24		Индуктивность на феррите аксиальная 26мкГн, 70кГц, 1.5А, 300Ом	TDK EPCOS	1 600	118.08
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRONICS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	UNKNOWN
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP	128
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	STMICROELECTRONICS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	Fairchild Semiconductor
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	INCHANGE SEMIC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST1
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ISC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS		1	64.80
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	PHILIPS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC1
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRO
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS-FAIR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	1
		IR2112		H/L драйвер 600В 200мА DIP	INTERNATIONAL RECTIFIER	137	300.90
		IR2112		H/L драйвер 600В 200мА DIP		4	187.20
		IR2112		H/L драйвер 600В 200мА DIP	США
		IR2112		H/L драйвер 600В 200мА DIP	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		IR2112		H/L драйвер 600В 200мА DIP	INFINEON
		IR2112		H/L драйвер 600В 200мА DIP	1
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	102.00
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		108	75.68
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS	764	31.12
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO	4 000	21.30

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"