|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V |
Power - Max | 190W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
IRFPG50PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3306P-1-501 | Bourns Inc | |||||||
3306P-1-501 | BOURNS | |||||||
3306P-1-501 | ||||||||
RX27-1 1 КОМ 15W 5% / SQP15 | ||||||||
RX27-1 5.1 КОМ 25W 5% / SQP25 | ||||||||
RX27-1 5.6 КОМ 10W 5% / SQP10 | ||||||||
UA748CN | ST MICROELECTRONICS | |||||||
UA748CN | ST MICROELECTRONICS SEMI | 312 | ||||||
UA748CN | ||||||||
UA748CN | STMicroelectronics |
|