MOSFET P-CH 55V 11A DPAK |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 6.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
Power - Max | 38W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1206-1.0K 1% | ЧИП - резистор 1кОм, 1%, 0.25Вт |
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||||
HP1-4-9M 0.125 10K | 16.80 | |||||||
KAN0611-0431B 6X6X4.3 MM | 4.48 | |||||||
KAN0611-0431B 6X6X4.3 MM | RUICHI | 8 543 | 1.43 | |||||
STM8S003F3P6 | ST MICROELECTRONICS | 68 | 51.05 | |||||
STM8S003F3P6 | 3 | 156.00 | ||||||
STM8S003F3P6 | 3 | 156.00 | ||||||
STM8S003F3P6 | МАЛАЙЗИЯ | |||||||
STM8S003F3P6 | STMICROELECTR | |||||||
STM8S003F3P6 | 1 | |||||||
SWD-09 | DPT | |||||||
SWD-09 | 74.36 | |||||||
SWD-09 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | |||||||
SWD-09 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
SWD-09 | КИТАЙ |
|