STD60NF06T4
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 30A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1810pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2512 0.047 5% | 1 344 | 2.38 | ||||||
| L6392D | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L6392D | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6392D |
|
|
||||||
| L6392D |
|
|
||||||
| L6392D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 536 |
|
|||||
| RC2012F683CS | SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS | 21 817 |
|
|||||
 |
TPS54060DGQR |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
|
|
||||
|
|
TPS54060DGQR |
|
TEXAS INSTRUMENTS | 1 538 |
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
TEXAS |
|
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 307 |
|
|||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ С ФЛЮСОМ RMA CP-3015 (3.0 ММ/1.5М) | MAN WELL | 428 | 273.00 |
