STU95N2LH5

Версия для печати

Технические характеристики STU95N2LH5

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1817pF @ 25V
Power - Max	70W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STU95N2LH5 (MOSFET)

N-channel 25 V, 0.0038 ?, 80 A - IPAK STripFET™ V Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STU95N2LH5 datasheet
350 Кб