Версия для печати
Технические характеристики STP9NK50ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	910pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

STP9NK50ZFP (MOSFET) N-CHANNEL 500V - 0.72? - 7.2A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP9NK50ZFP datasheet 365 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	NXP
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57		6	54.00
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	EIC	872	11.87
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	PHILIPS
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	VISHAY
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BYV26E		Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	LGE
		BZX55-C16			DC COMPONENTS	5 472	1.61
		BZX55-C16
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)		927	5.28
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	FAIR
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PHILIPS
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	VISHAY
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTOR
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	GALAXY	51	5.96
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	OTHER
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PHILIPS
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	Fairchild Semiconductor
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	КИТАЙ
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	GALAXY ME
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PANJIT	2 123	2.08
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	HOTTECH
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	KLS	30 000	1.10
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	1
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%		52	1.28
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIR
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	VISHAY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	OTHER	3 972
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	Fairchild Semiconductor
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	КИТАЙ
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KINGTRONICS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY ME
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	PANJIT	754	2.08
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	HOTTECH
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	YANGJIE (YJ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KLS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	1
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		29 491	1.28
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	4 514	1.20
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	120	2.95

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"