STB80NF55-08T4
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | STripFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 40A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3850pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STM8S207R8T6C | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM8S207R8T6C | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM8S207R8T6C | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| STM8S207R8T6C |
|
|
