IXTY08N100P


Polar power mosfet

Купить IXTY08N100P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTY08N100P
Версия для печати

Технические характеристики IXTY08N100P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPolar™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C800mA
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds240pF @ 25V
Power - Max42W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусTO-252, (D-Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTY08N100P (MOSFET)

Polar Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

IXTY08N100P datasheet
148.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход