STB20NM60D

Версия для печати

Технические характеристики STB20NM60D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	FDmesh™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	192W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB20NM60D (MOSFET)

N-channel 600V - 0.26? - 20A - D2PAK FDmesh™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB20NM60D datasheet
282 Кб