MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | Trench™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 500mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4530pF @ 25V |
Power - Max | 500W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | TO-263 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP9140 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFP9140 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) | VISHAY | ||||||
IRFP9140 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) | 123.16 | ||||||
IRFP9140 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) | Vishay/Siliconix | ||||||
IXTA50N25T | IXYS | |||||||
IXTA50N25T | ||||||||
UTC2003 | ||||||||
UTC2003 | ||||||||
КТ808А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный | 179.12 | ||||||
КТ808А | Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный | УЛЬЯНОВСК |
|