STB25NM60ND
N-channel 600 v - 0.13 ? - 21 a fdmesh™ ii power mosfet d2pak
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | FDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 50V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STB25NM60ND (MOSFET) N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET D2PAK
Производитель:
|
