IXFC110N10P


Polarhv hiperfet power mosfet

Купить IXFC110N10P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFC110N10P
Версия для печати

Технические характеристики IXFC110N10P

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPolarHV™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 55A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C60A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3550pF @ 25V
Power - Max120W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)ISOPLUS220™
КорпусISOPLUS220™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFC110N10P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET IXFC 110N10P Power MOSFET ISOPLUS220

Производитель:
ISSI

IXFC110N10P datasheet
230.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход