IXFR200N10P

Версия для печати

Технические характеристики IXFR200N10P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 100A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	133A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	235nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7600pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS247™
Корпус	ISOPLUS247™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFR200N10P (MOSFET)

Polar HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
ISSI

IXFR200N10P datasheet
101.8 Кб