IXFH14N100Q2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXFH14N100Q2		2 460.00

Версия для печати

Технические характеристики IXFH14N100Q2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	83nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2800pF @ 25V
Power - Max	500W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFH14N100Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFH14N100Q2 datasheet
141 Кб