Версия для печати
Технические характеристики 2SK3878(F,T)

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2200pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	2-16C1B (TO-247 N)
Корпус	TO-3P(N)

2SK3878(F,T) datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2W10			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		2W10				6 160	8.59
		2W10			MIC	823	14.47
		2W10			WUXI XUYANG	14	17.32
		2W10			HOTTECH	448	9.39
		2W10			PANJIT	14	32.35
		2W10			KLS
		2W10			MDD	3 200	8.99
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В		1	694.80
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	VISHAY
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт		11	440.00
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	Vishay/Siliconix
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	КИТАЙ
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERSIL
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	1
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	VISHAY
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	SILICONIX
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W		8	440.00
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	SILICONIX
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	МЕКСИКА
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER	16
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		2 360	22.67
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	7 960	32.26
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	7 260	32.13
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	1 315	25.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"