BSP123L6327

Версия для печати

Технические характеристики BSP123L6327

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SIPMOS®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 370mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	370mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	70pF @ 25V
Power - Max	1.79W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	PG-SOT223-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.