BSC076N06NS3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4000pF @ 30V |
| Power - Max | 69W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
AT25080AN-10SU-1.8 |
|
Atmel |
|
|
||
|
|
|
AT25128B-SSHL-B |
|
Atmel |
|
|
||
|
|
|
AT25128B-SSHL-B |
|
ATMEL CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
AT25128B-SSHL-B |
|
|
|
|||
|
|
|
AT25128B-SSHL-B |
|
MICRO CHIP |
|
|
||
|
|
BZX84C9V1LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
BZX84C9V1LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84C9V1LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
BZX84C9V1LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 8 727 |
|
||||
 |
|
GRM21BR71C475KA73L |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
GRM21BR71C475KA73L |
|
MURATA |
|
|
||
|
|
|
GRM21BR71C475KA73L |
|
MUR |
|
|
||
|
|
|
GRM21BR71C475KA73L |
|
|
|
|||
|
|
|
GRM21BR71C475KA73L |
|
MURATA | 57 372 | 16.21 | ||
| RC0603JR-0730KL | YAGEO | 412 568 |
0.70 >1000 шт. 0.14 |
|||||
| RC0603JR-0730KL |
|
|
