Версия для печати
Технические характеристики SPA08N80C3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 5.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 470µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 100V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	PG-TO220-FP

SPA08N80C3 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool Mos Power Transistor Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SPA08N80C3 datasheet 253.13Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FAN7602N			FAIR
		FAN7602N					260.00
		FAN7602N			Fairchild Semiconductor
		FAN7602N			FAIRCHILD
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DIODES
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DC COMPONENTS	51 828	3.99
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MCC
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS		10	15.12
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	WTE
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	КИТАЙ
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIC	17 088	2.41
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KINGTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY ME	1 079	6.97
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YJ	336	4.13
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KLS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SUNTAN
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE	12 400	2.96
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE (YJ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIG
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SEMTECH	120	5.28
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	OLITECH	1 616	2.27
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	1
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MDD	528	2.52
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	RUME	11 200	1.74
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	TRR ELECTRONICS
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	INFINEON
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz			408.00
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	Infineon Technologies
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	США
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ICE2BS01		SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz	1
		SH400M0047B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%	YAGEO
		SH400M0047B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH400M0047B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SJ050M0047BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50 В	YAGEO
		SJ050M0047BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SJ050M0047BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"