Версия для печати
Технические характеристики SPP11N80C3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 7.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 680µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1600pF @ 100V
Power - Max	156W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AT91SAM7S256-AU-001		32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 256K Flash, 64K SRAM	ATMEL	4	1 008.00
		AT91SAM7S256-AU-001		32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 256K Flash, 64K SRAM			1 296.00
		AT91SAM7S256-AU-001		32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 256K Flash, 64K SRAM	ATMEL CORPORATION
		AT91SAM7S256-AU-001		32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 256K Flash, 64K SRAM	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		AT91SAM7S256-AU-001		32- бит микроконтроллер на ядре SAM7S, 256K Flash, 64K SRAM	ATMEL1
		BSS119		Транзистор полевой SMD, MOSFET, N-CH , 100V, 170мA			6.32
		L-602G		Светодиод с держателем			60.00
		L-602G		Светодиод с держателем	CPU
		RLB0914-102KL		Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом	BOURNS	11 615	86.79
		RLB0914-102KL		Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом			57.60
		SPP06N80C3		Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220	INFINEON	126	477.78
		SPP06N80C3		Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
		SPP06N80C3		Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220	INFINEON
		SPP06N80C3		Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220	Infineon Technologies

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"