SPW20N60C3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPW20N60C3 (INFINEON)	152	236.16
SPW20N60C3		740.12

Версия для печати

Технические характеристики SPW20N60C3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Power - Max	208W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPW20N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPW20N60C3 datasheet
259.26Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4747A20V		DC COMPONENTS
1N4747A20V		0.00
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS	TOSHIBA
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS	TOS
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOSHIBA
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W			283.20
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOS
BCR133	Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	INFINEON
BCR133	Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W			4.32
BCR133	Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	КИТАЙ
BCR133	Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	ТАИЛАНД
L4981AD013TR		ST MICROELECTRONICS	184	87.76
L4981AD013TR		ST MICROELECTRONICS SEMI	184
L4981AD013TR		STMicroelectronics
L4981AD013TR
L4981AD013TR