NDB6060
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 24A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 48A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NDB6060 (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
