FDG314P
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 650mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 63pF @ 10V |
| Power - Max | 480mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 Pr |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDG314P (Мощные полевые МОП транзисторы) Digital Fet, P-channel
Производитель:
|
