FQP5N80

Версия для печати

Технические характеристики FQP5N80

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 Ohm @ 2.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1250pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP5N80 (MOSFET)

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP5N80 datasheet
660.9 Кб