HUF76639S3S

Версия для печати

Технические характеристики HUF76639S3S

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	51A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 51A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UltraFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D²PAK
Product Change Notification	Product Discontinuation 09/Sept/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.