FDD5810

Версия для печати

Технические характеристики FDD5810

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 32A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	37A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1890pF @ 25V
Power - Max	72W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDD5810 (MOSFET)

N-Channel Logic Level Trench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDD5810 datasheet
449 Кб