FDAF59N30

Версия для печати

Технические характеристики FDAF59N30

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UniFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	34A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4670pF @ 25V
Power - Max	161W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PF-3
Корпус	TO-3PF

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDAF59N30 (MOSFET)

300V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDAF59N30 datasheet
763.9 Кб