FDC654P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDC654P (FAIRCHILD.)	3 050	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDC654P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	298pF @ 15V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 11/May/2007 Cu Wire Change 30/July

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDC654P (Мощные полевые МОП транзисторы)

P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDC654P datasheet
77.11Kb
4стр.