FQA8N80C_F109
800v n-channel mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V |
| Power - Max | 220W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3PN |
| Корпус | TO-3PN |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQA8N80C_F109 (MOSFET) 800V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
