IRFP9140

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP9140		123.16

Версия для печати

Технические характеристики IRFP9140

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	21A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	61nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9x4xx

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRFP9140

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRFP9140 datasheet
386.58Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
6Н6П	Двойной миниатюрный триод для усиления мощности низкой частоты в непрерывном режиме		4	276.00
6Н6П	Двойной миниатюрный триод для усиления мощности низкой частоты в непрерывном режиме	НОВОСИБИРСК
ERG2SJ621		MATSUSHITA
ERG2SJ621		MATSUSHITA ELECTRONIC
ERG2SJ621		MATSUSHITA ELECTRONIC
IRFP140	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.077 R, ...	VISHAY
IRFP140	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.077 R, ...	FAIR
IRFP140	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.077 R, ...			232.00
IRFP140	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.077 R, ...	FAIRCHILD
IRFP140	N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.077 R, ...	FAIRCHILD
LA3133		SANYO
LA3133				225.60
СП5-2В 1 33К +5%		КОНТАКТ
СП5-2В 1 33К +5%