![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.4A, 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Power - Max | 3.1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL630S (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | BC338 ТранзРСвЂВВВВВВВВстор Р В Р’В±Р В РЎвЂВВВВВВВВполярный Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВВВВалой Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВВВВощностРц18.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВВВВВВть |
![]() | DEBB33F102KA3B РљРѕРЅРТвЂВВВВВВВВенсатор Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВВВВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВВВВсковый 3.15РєР’ 1000РїС„ 10% D РљСѓРїРСвЂВВВВВВВВть |
|
Корзина
|