IRF640L


Hexfet® power mosfet

Купить IRF640L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF640L
Версия для печати

Технические характеристики IRF640L

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
Power - Max130W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF640L (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF640L datasheet
220.3 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход