IRF644N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF644N		87.20

Версия для печати

Технические характеристики IRF644N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1060pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF644N (Дискретные сигналы)

Power MOSFET (Vdss=250V, Rds (on) =240mohm, Id=14A)

Также в этом файле: IRF644NL, IRF644NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF644N datasheet
125.95Kb
11стр.