IRFIB8N50K
Hexfet® power mosfet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 89nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2160pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFIB8N50K (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
